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【特气应用】常见半导体淀积工艺及材料

添加时间:2016-02-17 09:09:57   浏览次数: 次    【 】   打印   关闭窗口

           淀积的薄膜广泛地应用于现代超大规模集成电路的制造中,用的最多的多晶硅、二氧化硅、氮化硅等。较为普遍的淀积方法有常压化学气相淀积、低压化学气相淀积、等离子体辅助化学气相淀积。

多晶硅通常通过600-650时热分解硅烷制的,在MOS器件中可用作栅极材料,在多层布线中可作为导电材料,也可作为浅结器件的接触材料。

二氧化硅介质材料通常用作导电层绝缘、扩散和离子植入时的淹膜、掺杂氧化物的扩散、对杂质进行吸杂及保护元器件。

氮化硅能阻挡钠离子的扩散,几乎不透气及具有很低的氧化速率,主要作为氧化掩膜及栅极介质。


CVD Film Raw Material
SiO2 SiH4+CO2+H2
SiCl2H2+N2O
SiH4+H2O
SiH4+NO
Si(OC2H5)4
SiH4+O2
SiH4+NO2
Si3N4 SiH4+NH3
SiCl2H2+NH3
SiH4+N2
Si SiH4
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